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2、薄膜型 薄膜型气敏器件的制作首先须处理基片(玻璃石英式陶瓷)；焊接电极，之后采用蒸发或溅射方法在石英基片上形成一薄层氧化物半导体薄膜。实验测得SnO2和ZnO薄膜的气敏特性较好。 薄膜型器件外形结构如图12-4所示。这种器件具有较高的机械强度，而且具有互换性好，产量高、成本低等优点。
3、厚膜型 为解决器件一致性问题，1977年发展了厚膜型器件。它是有SnO2和ZnO等材料与3～15％(重量)的硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶，把厚膜胶用丝网印制到事先安装有铂电极的Al2 (责任编辑：传感器) |